C) 在中高压范围内找到了用武之地,取代了电动汽车和工业驱动等应用中的 IGBT 和硅 MOSFET。 然而,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 都存在局限性。某些在高温和恶劣环境下运行的应用可
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